JANSF2N2222AL - Microsemi Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel

JANSF2N2222AL

Artikelnummer:: JANSF2N2222AL

Hersteller:: Microsemi

Beschreibung:: NPN TRANSISTOR

[LeadFreeStatus]未找到翻译: RoHS nicht konform

Anzahl:: 40063 Pieces

Lieferzeit:: 1-2 days

Datenblatt:: JANSF2N2222AL.pdf

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Spezifikation

Bedingung	New and Original
Ursprung	Contact us
Verteiler	Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:	1V @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ:	NPN
Supplier Device-Gehäuse:	TO-18
Serie:	Military, MIL-PRF-19500/255
RoHS-Status:	RoHS non-compliant
Leistung - max:	500mW
Verpackung / Gehäuse:	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Frequenz - Übergang:	-
detaillierte Beschreibung:	Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:	100 @ 150mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max):	50nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):	800mA
Email:	[email protected]

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