IXTT30N60L2
IXTT30N60L2
Artikelnummer:
IXTT30N60L2
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
43603 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IXTT30N60L2.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-268
Serie:Linear L2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:240 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max):540W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:10700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:335nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 600V 30A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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