IXTT10N100D2
IXTT10N100D2
Artikelnummer:
IXTT10N100D2
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
50886 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IXTT10N100D2.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-268
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.5 Ohm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max):695W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:5320pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:Depletion Mode
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):1000V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 1000V 10A (Tc) 695W (Tc) Surface Mount TO-268
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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