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IXTP08N100D2
IXTP08N100D2
Artikelnummer:
IXTP08N100D2
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
73630 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IXTP08N100D2.pdf
Anfrage

Einführung

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BOSER Technology ist der Distributor für IXTP08N100D2, wir haben die Lagerbestände für den sofortigen Versand und auch für Langzeitbelieferung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IXTP08N100D2 per E-Mail, wir geben Ihnen den besten Preis entsprechend Ihres Plans.
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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220AB
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:21 Ohm @ 400mA, 0V
Verlustleistung (max):60W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:325pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:14.6nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:Depletion Mode
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):-
Drain-Source-Spannung (Vdss):1000V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 1000V 800mA (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:800mA (Tc)
Email:[email protected]

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