IXTN102N65X2
IXTN102N65X2
Artikelnummer:
IXTN102N65X2
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
62190 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IXTN102N65X2.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:SOT-227
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:30 mOhm @ 51A, 10V
Verlustleistung (max):595AW (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:10900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:152nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):650V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 650V 76A (Tc) 595AW (Tc) Chassis Mount SOT-227
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:76A (Tc)
Email:[email protected]

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