IXTH12N150
IXTH12N150
Artikelnummer:
IXTH12N150
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
59529 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IXTH12N150.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247 (IXTH)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2 Ohm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max):890W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3720pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:106nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):1500V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 1500V 12A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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