IXTD1R4N60P 11
Artikelnummer:
IXTD1R4N60P 11
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
47017 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IXTD1R4N60P 11.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 25µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:PolarHV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9 Ohm @ 700mA, 10V
Verlustleistung (max):50W (Tc)
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:IXTD1R4N60P11
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:140pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:5.2nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 600V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:1.4A (Tc)
Email:[email protected]

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