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IXFX30N100Q2
IXFX30N100Q2
Artikelnummer:
IXFX30N100Q2
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
52258 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IXFX30N100Q2.pdf
Anfrage

Einführung

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BOSER Technology ist der Distributor für IXFX30N100Q2, wir haben die Lagerbestände für den sofortigen Versand und auch für Langzeitbelieferung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IXFX30N100Q2 per E-Mail, wir geben Ihnen den besten Preis entsprechend Ihres Plans.
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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PLUS247™-3
Serie:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:400 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max):735W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:8200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:186nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):1000V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 1000V 30A (Tc) 735W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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