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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IXFH80N65X2-4
IXFH80N65X2-4
Artikelnummer:
IXFH80N65X2-4
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH
Anzahl:
71336 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IXFH80N65X2-4.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247-4L
Serie:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:38 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max):890W (Tc)
Verpackung / Gehäuse:TO-247-4
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Hersteller Standard Vorlaufzeit:24 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:8300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:140nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):650V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 650V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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