IXFH60N65X2
IXFH60N65X2
Artikelnummer:
IXFH60N65X2
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
83956 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IXFH60N65X2.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:52 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max):780W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:6180pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:107nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):650V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 650V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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