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IXFH36N55Q2
IXFH36N55Q2
Artikelnummer:
IXFH36N55Q2
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
63471 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IXFH36N55Q2.pdf
Anfrage

Einführung

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BOSER Technology ist der Distributor für IXFH36N55Q2, wir haben die Lagerbestände für den sofortigen Versand und auch für Langzeitbelieferung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IXFH36N55Q2 per E-Mail, wir geben Ihnen den besten Preis entsprechend Ihres Plans.
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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247AD (IXFH)
Serie:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max):560W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:4100pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):550V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 550V 36A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:36A (Tc)
Email:[email protected]

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