| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
| Spannungsversorgung: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Technologie: | SRAM - Synchronous |
| Supplier Device-Gehäuse: | 100-TQFP (14x20) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | 100-LQFP |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 2 (1 Year) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 4.5Mb (256K x 18) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | SRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (256K x 18) Parallel 200MHz 3.1ns 100-TQFP (14x20) |
| Uhrfrequenz: | 200MHz |
| Zugriffszeit: | 3.1ns |
| Email: | [email protected] |
