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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > IS43DR86400D-25DBLI-TR
IS43DR86400D-25DBLI-TR
Artikelnummer:
IS43DR86400D-25DBLI-TR
Hersteller:
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
47257 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IS43DR86400D-25DBLI-TR.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:15ns
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.9 V
Technologie:SDRAM - DDR2
Supplier Device-Gehäuse:60-TWBGA (8x10.5)
Serie:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:60-TFBGA
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-TWBGA (8x10.5)
Uhrfrequenz:400MHz
Zugriffszeit:400ps
Email:[email protected]

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Image Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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IS43DR86400C-25DBL-TR ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA Anfrage
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