IRLR3636PBF
Artikelnummer:
IRLR3636PBF
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
37457 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IRLR3636PBF.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 100µA
Vgs (Max):±16V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D-Pak
Serie:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.8 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max):143W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:SP001553190
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3779pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:49nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 60V 50A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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