| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-262 |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 9A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 3.8W (Ta), 79W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andere Namen: | *IRL530NL |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 800pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 34nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 100V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 17A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
