IRFIB8N50K
IRFIB8N50K
Artikelnummer:
IRFIB8N50K
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS nicht konform
Anzahl:
62325 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IRFIB8N50K.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220-3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:350 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max):45W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Andere Namen:*IRFIB8N50K
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2160pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:89nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):500V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 500V 6.7A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:6.7A (Tc)
Email:[email protected]

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