| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Leistung - max: | 2W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen: | SP001566518 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 190pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.5A, 2.3A |
| Basisteilenummer: | IRF9952PBF |
| Email: | [email protected] |
