IRF8910GTRPBF
IRF8910GTRPBF
Artikelnummer:
IRF8910GTRPBF
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
45353 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IRF8910GTRPBF.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.55V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:8-SO
Serie:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:13.4 mOhm @ 10A, 10V
Leistung - max:2W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen:IRF8910GTRPBF-ND
IRF8910GTRPBFTR
SP001575420
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:960pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 4.5V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:10A
Basisteilenummer:IRF8910GPBF
Email:[email protected]

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