IRF6720S2TR1PBF
IRF6720S2TR1PBF
Artikelnummer:
IRF6720S2TR1PBF
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
77683 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IRF6720S2TR1PBF.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 25µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:DIRECTFET S1
Serie:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max):1.7W (Ta), 17W (Tc)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:DirectFET™ Isometric S1
Andere Namen:IRF6720S2TR1PBFCT
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1140pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 30V 11A (Ta), 35A (Tc) 1.7W (Ta), 17W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:11A (Ta), 35A (Tc)
Email:[email protected]

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