| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.25V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | DIRECTFET™ MT |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.4 mOhm @ 23A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | DirectFET™ Isometric MT |
| Andere Namen: | IRF6613 IRF6613-ND IRF6613TR1-ND IRF6613TR1TR SP001528856 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 5950pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 63nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 40V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 40V 23A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 23A (Ta), 150A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
