IRF1902GPBF
IRF1902GPBF
Artikelnummer:
IRF1902GPBF
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
37940 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IRF1902GPBF.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:700mV @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-SO
Serie:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:85 mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (max):-
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen:SP001571184
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:310pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:7.5nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 20V 4.2A (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:4.2A (Ta)
Email:[email protected]

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