IPDD60R125G7XTMA1
IPDD60R125G7XTMA1
Artikelnummer:
IPDD60R125G7XTMA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET NCH 650V 54A PG-HDSOP-10
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
55486 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IPDD60R125G7XTMA1.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 320µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-HDSOP-10-1
Serie:CoolMOS™ G7
Rds On (Max) @ Id, Vgs:125 mOhm @ 6.4A, 10V
Verlustleistung (max):120W (Tc)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:10-PowerSOP Module
Andere Namen:IPDD60R125G7XTMA1CT
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1080pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 600V 20A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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