| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
| Spannungsversorgung: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Technologie: | SRAM - Synchronous, QDR II |
| Supplier Device-Gehäuse: | 165-CABGA (13x15) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 165-TBGA |
| Andere Namen: | 71P74604S200BQG8 |
| Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 18Mb (512K x 36) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | SRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 8.4ns 165-CABGA (13x15) |
| Uhrfrequenz: | 200MHz |
| Basisteilenummer: | IDT71P74 |
| Zugriffszeit: | 8.4ns |
| Email: | [email protected] |
