HUFA75329D3ST
Artikelnummer:
HUFA75329D3ST
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
61933 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
HUFA75329D3ST.pdf

Einführung

HUFA75329D3ST bester Preis und schnelle Lieferung.
BOSER Technology ist der Distributor für HUFA75329D3ST, wir haben die Lagerbestände für den sofortigen Versand und auch für Langzeitbelieferung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für HUFA75329D3ST per E-Mail, wir geben Ihnen den besten Preis entsprechend Ihres Plans.
Unsere E-Mail: [email protected]

Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-252AA
Serie:UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:26 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max):128W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1060pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 20V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):55V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 55V 20A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

Schnell Angebot anfordern

Artikelnummer
Anzahl
Unternehmen
Email
Telefon
Bemerkung/Erläuterung