HN1B04FU-Y(T5L,F,T
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Artikelnummer:
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
63757 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
HN1B04FU-Y(T5L,F,T.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
Transistor-Typ:NPN, PNP
Supplier Device-Gehäuse:US6
Serie:-
Leistung - max:200mW
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen:HN1B04FU-Y(T5LFTCT
Betriebstemperatur:125°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:150MHz
detaillierte Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:120 @ 2mA, 6V
Strom - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max):150mA
Email:[email protected]

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