FQPF8N80CYDTU
FQPF8N80CYDTU
Artikelnummer:
FQPF8N80CYDTU
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
58839 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FQPF8N80CYDTU.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
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Verteiler Boser Technology
Spannung - Prüfung:2050pF @ 25V
Spannung - Durchschlag:TO-220F-3 (Y-Forming)
VGS (th) (Max) @ Id:1.55 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (Max):10V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:QFET®
RoHS Status:Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8A (Tc)
Polarisation:TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:23 Weeks
Hersteller-Teilenummer:FQPF8N80CYDTU
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:45nC @ 10V
IGBT-Typ:±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:5V @ 250µA
FET-Merkmal:N-Channel
Expanded Beschreibung:N-Channel 800V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Drain-Source-Spannung (Vdss):-
Beschreibung:MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:800V
Kapazitätsverhältnis:59W (Tc)
Email:[email protected]

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