FQP2P40-F080
Artikelnummer:
FQP2P40-F080
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
48623 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FQP2P40-F080.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220AB
Serie:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.5 Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max):63W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:FQP2P40_F080
FQP2P40_F080-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):400V
detaillierte Beschreibung:P-Channel 400V 2A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

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