FQP17N08L
Artikelnummer:
FQP17N08L
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
92936 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.FQP17N08L.pdf2.FQP17N08L.pdf

Einführung

FQP17N08L bester Preis und schnelle Lieferung.
BOSER Technology ist der Distributor für FQP17N08L, wir haben die Lagerbestände für den sofortigen Versand und auch für Langzeitbelieferung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für FQP17N08L per E-Mail, wir geben Ihnen den besten Preis entsprechend Ihres Plans.
Unsere E-Mail: [email protected]

Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220-3
Serie:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 8.25A, 10V
Verlustleistung (max):65W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:520pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:11.5nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):80V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 80V 16.5A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:16.5A (Tc)
Email:[email protected]

Schnell Angebot anfordern

Artikelnummer
Anzahl
Unternehmen
Email
Telefon
Bemerkung/Erläuterung