FJV3113RMTF
Artikelnummer:
FJV3113RMTF
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
58389 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.FJV3113RMTF.pdf2.FJV3113RMTF.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):47 kOhms
Widerstand - Basis (R1):2.2 kOhms
Leistung - max:200mW
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen:FJV3113RMTFDKR
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:2 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:250MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:68 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Basisteilenummer:FJV3113
Email:[email protected]

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