FDS8842NZ
FDS8842NZ
Artikelnummer:
FDS8842NZ
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
77289 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FDS8842NZ.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-SO
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 14.9A, 10V
Verlustleistung (max):2.5W (Ta)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen:FDS8842NZCT
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3845pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:73nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):40V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 40V 14.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:14.9A (Ta)
Email:[email protected]

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