FDMS3615S
FDMS3615S
Artikelnummer:
FDMS3615S
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
50710 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FDMS3615S.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:Power56
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.8 mOhm @ 16A, 10V
Leistung - max:1W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN
Andere Namen:FDMS3615S-ND
FDMS3615STR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:39 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1765pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):25V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 16A, 18A 1W Surface Mount Power56
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:16A, 18A
Email:[email protected]

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