FDG6322C
Artikelnummer:
FDG6322C
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
74113 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FDG6322C.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:SC-70-6
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4 Ohm @ 220mA, 4.5V
Leistung - max:300mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen:FDG6322CTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:9.5pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.4nC @ 4.5V
Typ FET:N and P-Channel
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):25V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array N and P-Channel 25V 220mA, 410mA 300mW Surface Mount SC-70-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:220mA, 410mA
Email:[email protected]

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