FDD8426H
Artikelnummer:
FDD8426H
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
67178 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FDD8426H.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:TO-252-4L
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:12 mOhm @ 12A, 10V
Leistung - max:1.3W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2735pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:53nC @ 10V
Typ FET:N and P-Channel
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):40V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array N and P-Channel 40V 12A, 10A 1.3W Surface Mount TO-252-4L
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:12A, 10A
Email:[email protected]

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