FDD2512
Artikelnummer:
FDD2512
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
67567 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FDD2512.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-252
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:420 mOhm @ 2.2A, 10V
Verlustleistung (max):42W (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:344pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):150V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 150V 6.7A (Ta) 42W (Ta) Surface Mount TO-252
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:6.7A (Ta)
Email:[email protected]

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