FD6M016N03
FD6M016N03
Artikelnummer:
FD6M016N03
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 80A EPM15
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
49200 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FD6M016N03.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:EPM15
Serie:Power-SPM™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.6 mOhm @ 40A, 10V
Leistung - max:-
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:EPM15
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:11535pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:295nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 80A Through Hole EPM15
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:80A
Email:[email protected]

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