FCP150N65F
Artikelnummer:
FCP150N65F
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
58246 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FCP150N65F.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.4mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220-3
Serie:HiPerFET™, Polar™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:150 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max):298W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3737pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:93nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):650V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 650V 24A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:24A (Tc)
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