| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| Spannung - Prüfung: | 55pF @ 50V |
| Spannung - Durchschlag: | Die |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 160 mOhm @ 500mA, 5V |
| Technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Serie: | eGaN® |
| RoHS Status: | Tray |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.7A (Ta) |
| Polarisation: | - |
| Andere Namen: | 917-EPC8010ENGR EPC8010ENGJ |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | EPC8010ENGR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 0.48nC @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| FET-Merkmal: | N-Channel |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
| Beschreibung: | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 100V |
| Kapazitätsverhältnis: | - |
| Email: | [email protected] |
