EPC2022
EPC2022
Artikelnummer:
EPC2022
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
58870 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
EPC2022.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 12mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.2 mOhm @ 25A, 5V
Verlustleistung (max):-
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:917-1133-6
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1500pF @ 50V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 100V 60A (Ta) Surface Mount Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

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