EMF8T2R
EMF8T2R
Artikelnummer:
EMF8T2R
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
39281 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
EMF8T2R.pdf

Einführung

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Spezifikation

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Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V, 12V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Transistor-Typ:1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Supplier Device-Gehäuse:EMT6
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):47 kOhms
Widerstand - Basis (R1):47 kOhms
Leistung - max:150mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SOT-563, SOT-666
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:250MHz, 320MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA, 500mA
Email:[email protected]

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