EMD5T2R
EMD5T2R
Artikelnummer:
EMD5T2R
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
62010 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.EMD5T2R.pdf2.EMD5T2R.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
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Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse:EMT6
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):47 kOhms, 10 kOhms
Widerstand - Basis (R1):47 kOhms, 4.7 kOhms
Leistung - max:150mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SOT-563, SOT-666
Andere Namen:EMD5T2RTR
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:250MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Basisteilenummer:*MD5
Email:[email protected]

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