ECH8619-TL-E
ECH8619-TL-E
Artikelnummer:
ECH8619-TL-E
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
55282 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
ECH8619-TL-E.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:-
Supplier Device-Gehäuse:8-ECH
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:93 mOhm @ 1.5A, 10V
Leistung - max:1.5W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SMD, Flat Lead
Andere Namen:869-1156-2
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:560pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12.8nC @ 10V
Typ FET:N and P-Channel
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 1.5W Surface Mount 8-ECH
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3A, 2A
Basisteilenummer:ECH8619
Email:[email protected]

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