DTC023EEBTL
DTC023EEBTL
Artikelnummer:
DTC023EEBTL
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
47383 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.DTC023EEBTL.pdf2.DTC023EEBTL.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:200mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:EMT3F (SOT-416FL)
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):2.2 kOhms
Widerstand - Basis (R1):2.2 kOhms
Leistung - max:150mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SC-89, SOT-490
Andere Namen:DTC023EEBTLTR
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:250MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:20 @ 20mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max):-
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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