DTA114EEBHZGTL
DTA114EEBHZGTL
Artikelnummer:
DTA114EEBHZGTL
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
78572 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.DTA114EEBHZGTL.pdf2.DTA114EEBHZGTL.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ:PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:EMT3F (SOT-416FL)
Serie:Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2):10 kOhms
Widerstand - Basis (R1):10 kOhms
Leistung - max:150mW
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:SC-89, SOT-490
Andere Namen:DTA114EEBHZGTLCT
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:250MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:30 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):-
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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