| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 120ns |
| Spannungsversorgung: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Technologie: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 32-EDIP |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Speichertyp: | Non-Volatile |
| Speichergröße: | 1Mb (128K x 8) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | NVSRAM |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 15 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 120ns 32-EDIP |
| Basisteilenummer: | DS1245AB |
| Zugriffszeit: | 120ns |
| Email: | [email protected] |
