DS1230AB-200
DS1230AB-200
Artikelnummer:
DS1230AB-200
Hersteller:
Maxim Integrated
Beschreibung:
IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Anzahl:
74995 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
DS1230AB-200.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:200ns
Spannungsversorgung:4.75 V ~ 5.25 V
Technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Supplier Device-Gehäuse:28-EDIP
Serie:-
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Andere Namen:DS1230AB200
Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Speichertyp:Non-Volatile
Speichergröße:256Kb (32K x 8)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:NVSRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung:NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP
Basisteilenummer:DS1230AB
Zugriffszeit:200ns
Email:[email protected]

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