DMT69M8LPS-13
DMT69M8LPS-13
Artikelnummer:
DMT69M8LPS-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Enthält Blei / RoHS-konform
Anzahl:
66524 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
DMT69M8LPS-13.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PowerDI5060-8
Serie:Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs:12 mOhm @ 13.5A, 10V
Verlustleistung (max):2.3W (Ta), 113W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN
Andere Namen:DMT69M8LPS-13DITR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1925pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:33.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 60V 10.2A (Ta), 70A (Tc) 2.3W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:10.2A (Ta), 70A (Tc)
Email:[email protected]

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