DMN2550UFA-7B
DMN2550UFA-7B
Artikelnummer:
DMN2550UFA-7B
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
54652 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
DMN2550UFA-7B.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:X2-DFN0806-3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:450 mOhm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (max):360mW (Ta)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:3-XFDFN
Andere Namen:DMN2550UFA-7BDICT
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:52.5pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.88nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 20V 600mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:600mA (Ta)
Email:[email protected]

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