DMN10H170SK3-13
DMN10H170SK3-13
Artikelnummer:
DMN10H170SK3-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 12A TO252
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
39072 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
DMN10H170SK3-13.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-252-3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:140 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max):42W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:DMN10H170SK3-13DITR
DMN10H170SK313
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1167pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:9.7nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 100V 12A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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