CSD87334Q3D
Artikelnummer:
CSD87334Q3D
Hersteller:
TI
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
95830 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
CSD87334Q3D.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1.2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:8-VSON (3.3x3.3)
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6 mOhm @ 12A, 8V
Leistung - max:6W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1260pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8.3nC @ 4.5V
Typ FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 20A 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:20A
Email:[email protected]

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