| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.7V @ 22mA |
| Supplier Device-Gehäuse: | Module |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | - |
| Leistung - max: | 780W |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | Module |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 32 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 14000pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Merkmal: | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 780W Module |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
